| 描述 | MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 23 毫欧 @ 9.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | MicroFET 2x2 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMA410NZTR |
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)推出fdma1024nz和fdma410nz 双n沟道和单n沟道mosfet器件，可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。 这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm microfet mlp封装，适用于空间受限的应用，提供出色的功耗和超低rds(on) ，能大大延长电池的寿命，这些高效microfet mosfet有助于应对现今功能丰富的便携式应用所对的功耗挑战。 fdma410nz为便携产品设计人员提供了业界最低的rds(on)，4.5v时为23 m，采用纤细 2mm x 2mm封装，两款产品均可确保在vgs低至1.5v时达到rds(on)额定值，适用于锂离子或原电池应用。 飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术可实现非常低的rds(on)、总栅极电荷(qg) 和米勒电荷(qgd)，从而获得出色的开关性能和热效率。相比传统的mosfet封装，其先进的microfet封装提供了卓越的功耗和传导损耗特性。 飞兆半导体提供业界最广泛的高热效、超紧凑、薄型2mm x ...
【Fairchild Semiconductor】FDMA420NZ,MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMA430NZ,MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMA507PZ,MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMA510PZ,MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMA520PZ,MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2
【Fairchild Semiconductor】FDMA530PZ,MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2
