描述 | MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 7.3A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1645pF @ 10V |
功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | MicroFET 2x2 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMA520PZTR |
充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf ...
性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和 ...
为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) ...
,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(i ...
电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄 ...
高性能特性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir), ...