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  • FDMA520PZ

FDMA520PZ

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.25955
  • 6000$0.24165
  • 15000$0.2327
  • 30000$0.22375
  • 75000$0.22017
描述MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7.3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1645pF @ 10V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装MicroFET 2x2
包装带卷 (TR)其它名称FDMA520PZTR

“FDMA520PZ”电子资讯

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf ...

  • 飞兆半导体推出7款MLP封装MicroFET产品

    性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和 ...

  • 飞兆半导体的MLP封装MicroFET产品在小外形尺寸中提供出色的功耗特性

    为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler 表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) ...

  • 飞兆推7款全新MicroFET 面向30V和20V应用

    ,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(i ...

  • 飞兆发布7款全新MicroFET,面向30V和20V应用

    电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chris winkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄 ...

“FDMA520PZ”技术资料

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    高性能特性,成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换,以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。 飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示:“飞兆半导体的microfet产品经专门设计,能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件,飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择,能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir), ...

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