| 描述 | INTEGRATED CIRCUIT | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 123 毫欧 @ 2.9A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 3nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 220pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 650mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
【Fairchild Semiconductor】FDMA291P,MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
【Fairchild Semiconductor】FDMA3023PZ,MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6
【Fairchild Semiconductor】FDMA3027PZ,MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDMA3028N,MOSFET N-CH 30V DUAL 6MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMA410NZ,MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMA420NZ,MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET
