描述 | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 6.8A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2960pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.9W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-MLP,MicroFET? | 供应商设备封装 | 8-MLP,MicroFET(3x1.9) |
包装 | 带卷 (TR) |