描述 | N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100 | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 37 毫欧 @ 5.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 58 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2675 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.3W(Ta),50W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
【Fairchild Semiconductor】FDMC2512SDC,MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMC2514SDC,MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC2523P,MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
【Fairchild Semiconductor】FDMC2610,MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
【Fairchild Semiconductor】FDMC2674,MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP
【Fairchild Semiconductor】FDMC3020DC,MOSFET N-CH 30V 40A POWER33