| 描述 | MOSFET N/P-CH 150V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta），900mA（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 155 毫欧 @ 2.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 6.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 395pF @ 75V |
| 功率 - 最大值 | 1.9W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-Power33（3x3） |
【Fairchild Semiconductor】FDMC8200,MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC8200_F128,MOSFET Dual N-CH 30V 12A
【Fairchild Semiconductor】FDMC8200S,MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP
【Fairchild Semiconductor】FDMC8296,MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMC8321L,MOSFET N-CH 44V 49A 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMC8327L,MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET