| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 215pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.9W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 12-WFDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 12-MLP（5x4.5） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMQ8403TR |
