| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.7A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 77 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2315pF @ 100V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装 | Power56 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDMS2672TR |
件替代，也不是一件容易的事情。lidow博士提供的一些资料增加了说服力，在一个基于导通电阻性能带来的不同材料功率器件成本比较中，第一代gan出色的性能远超si和sic，并且目前epc公司的两款gan器件epc1010和epc1001所实现的封装面积还远未到gan器件理论极限，“这也意味着，gan器件在优化成本上的空间还很巨大，”lidow说。 在另一个有关功率器件品质因数（fom）的比较图中，epc1010分别同三家公司的的mosfet（vishay的si7462dp、fairchild的fdms2672和ir的irf6641）进行比较的结果也令人惊讶——epc1010的fom值较三者中表现最好的irf6641还要低将近20倍！fom =rds(on) x qg (200v)，由此可见gan器件在导通损耗和开关损耗两项关键值上表现优异。 lidow强调，mosfet工作模式有两类——耗尽型（depletion mode）和增强型（enhancement mode），即正常情况下导通和断开两种工作模式，epc采取了其中的增强型模式，其产品为egan型。而竞争者ir的gan产品为耗尽型模式，“ ...
【Fairchild Semiconductor】FDMS2734,MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS3006SDC,MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3008SDC,MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3016DC,MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
【Fairchild Semiconductor】FDMS3500,MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS3572,MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
