FDMS86101

fairchild semiconductor(飞兆半导体公司) 为隔离式dc-dc应用设计人员提供一款新型100v mosfet器件fdms86101，具有低达50% 的rds(on) 和出色的品质因数 (figure of merits, fom)，有效提高电源设计的效率。fdms86101是采用5mm×6mm mlp power56 封装的100v mosfet器件，使用了飞兆半导体先进的powertrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相比栅级电荷相同的现有解决方案，这一专有工艺技术提供了业界最低的rds (on) (8 mω)，使fdms86101得以减小导通损耗，而不会受到较高栅级电荷的影响。以太网、刀片服务器和电信应用正逐渐从12v转向48v电源，对于优化开关效率的需求变得越来越重要。 powertrench mosfet 内置增强型软体 (soft-body) 二极管，可以减小开关噪声并降低应用的emi 敏感性。这项功能可以节省线路板空间和减少组件数目，而许多替代解决方案却需要加入一个缓冲器网络才能减小开关噪声尖峰。 fdms ...

近日，飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 为隔离式dc-dc应用设计人员提供一款新型100v mosfet器件fdms86101，具有低达50% 的rds(on) 和出色的品质因数 (figure of merits, fom)，有效提高电源设计的效率。 fdms86101是采用5mm x 6mm mlp power56 封装的100v mosfet器件，使用了飞兆半导体先进的powertrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相比栅级电荷相同的现有解决方案，这一专有工艺技术提供了业界最低的rds (on) (8 mω)，使fdms86101得以减小导通损耗，而不会受到较高栅级电荷的影响。以太网、刀片服务器和电信应用正逐渐从12v转向48v电源，对于优化开关效率的需求变得越来越重要。 powertrench mosfet 内置增强型软体 (soft-body) 二极管，可以减小开关噪声并降低应用的emi 敏感性。这项功能可以节省线路板空间和减少组件数目，而许多替代解决方案却需要加入一个缓冲器网 络 ...

技术可使现有拓扑结构采用更具挑战性的工作条件——增加开关频率甚至可以改变其他拓扑结构。 为了满足市场这些转换器的需求，英飞凌科技推出了全新的100v mosfet 系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础，可大幅度降低导通电阻。通过结合应用低栅电荷、高开关速度、卓越的抗雪崩能力以及改进的体内二极体（body-diode）特性，这些器件适用于多种不同的应用。 飞兆半导体公司 （fairchild semiconductor） 为隔离式dc/dc应用设计人员提供一款新型100v mosfet器件fdms86101，具有低达50% 的rds（on） 和出色的品质因数 （figure of merits, fom），有效提高电源设计的效率。fdms86101是采用5mm x 6mm mlp power56 封装的100v mosfet器件，使用了飞兆半导体先进的powertrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相比栅级电荷相同的现有解决方案，这一专有工艺技术提供了业界最低的rds （on） （8 mω），使fdms86101得以减小导通损耗，而不会受到较高栅级电荷 ...