描述 | MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 30A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 19 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 881 pF @ 30 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 50W(Tj) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
【Fairchild Semiconductor】FDMS8660AS,MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS8660S,MOSFET N-CH 30V 25A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS8662,MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS8670,MOSFET N-CH 30V 24A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS8670AS,MOSFET N-CH 30V 23A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS8670S,MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
【Fairchild Semiconductor】FDMS8672AS,MOSFET N-CH 30V 18A POWER56