| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.4A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 52 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1312pF @ 10V | 功率 - 最大 | 460mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDN304PTR |
电源(不管是电池、超级电容还是其他电压源)的使用寿命，虽然0.6v的压降约为锂离子电池全充电(4.1v) 输出的15%。 肖特基二极管将正向压降降低了0.3~0.5v，在一定程度上使情况有改善，但用fet代替二极管将压降降低到0.1v。要制作一低正向压降"fet或"电源，需要在图1所示的每个功率通道各加一fet，这些fet受电源序列发生器(u1)控制。 可以在vin1通道使用一fdc633n晶体管(飞兆公司产品)，在vin2通道使用一fdn304p，将vin1和vin2上的损失降低到50mv以下。q1的选择要考虑其电流处理能力和低导通电阻。q2的选择考虑其低栅极-源极电压(低至1.8v，等效两个枯竭的各0.9v aa电池)和低导通电阻。 两个fet均反向安装以使其本身二极管反偏压，这可避免从一个电源切换到另一电源时的过电流，使转换平缓。 u1用作墙上适配器的电源感测器和去抖动电路，使用一可编程延迟(对典型固定的200ms延迟使用max6819)监控vin1，确保墙上电源稳定或高于u1断开电压后电池电源才关闭。 如果 ...
