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FDN5632N_F085

描述MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A漏极连续电流1.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)98 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SSOT-3封装Reel
下降时间1.3 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1.1 W上升时间1.7 ns
工厂包装数量3000典型关闭延迟时间5.2 ns

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