描述 | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3.6 毫欧 @ 75A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 116nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 7295pF @ 25V |
功率 - 最大 | 227W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 成形引线 | 供应商设备封装 | TO-220-3 |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDP038AN06A0,MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP038AN06A0_Q,MOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDP040N06,MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
【Fairchild Semiconductor】FDP045N10A,MSOFET N-CH 100V TO-220-3
【Fairchild Semiconductor】FDP045N10A_F102,MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET