| 描述 | MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.6 毫欧 @ 67A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDP14AN06LA0_Q,MOSFET Single N-Ch 60V Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDP14N60,MOSFET 14a 600V N-Ch SPMS 0.490 Ohm
【Fairchild Semiconductor】FDP150N10,MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP150N10A,MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
【Fairchild Semiconductor】FDP150N10A_F102,MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
