| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6000pF @ 25V | 功率 - 最大 | 310W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDP3632_Q,MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDP3651U,MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3652,MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3652_Q,MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
【Fairchild Semiconductor】FDP3672,MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3682,MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】FDP3682_Q,MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V
