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  • FDP5645

FDP5645

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 80A TO-220FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 40A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs107nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds4468pF @ 30V
功率 - 最大125W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220
包装管件

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