| 描述 | MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 41 毫欧 @ 30.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3380pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 417W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220 |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDP65N06,MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP6670AL,MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FDP6670AL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDP6670S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDP6676,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDP6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
