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FDR856P

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：5.1 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	MOSFET DISC BY MFG 2/02	电阻汲极/源极 RDS（导通）	25 mOhms
配置	Single Quint Drain Dual Source	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SuperSOT-8
封装	Reel	下降时间	12 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1800 mW
上升时间	12 ns	工厂包装数量	3000
典型关闭延迟时间	80 ns

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