| 描述 | MOSFET SO-8 N-CH 150V | 漏极连续电流 | 4 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.08 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 21 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 20 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 7 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS2572,MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2572_Q,MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
【Fairchild Semiconductor】FDS2582,MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2582_Q,MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDS2672,MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS2672_F085,MOSFET 200V3.9A 70OHMNCH ULTRAFET TRENCH
