| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 26 毫欧 @ 6.7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 77nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2714pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS3170N7TRFDS3170N7_NLFDS3170N7_NLTRFDS3170N7_NLTR-ND |
