FDS3572

飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)日前宣布推出采用so-8封装的80v n沟道mosfet器件——fds3572。该器件能同时为dc/dc转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。 fds3572提供7.5nc miller电荷(qgd)，比相同rds (on)级别的产品低38%。该器件的低miller电荷加上低rds (on) (16m)特性，其品质因数优值(figure of merit, fom = rds(on)×qgd)为120。fds3572的总门电荷在vgs =10v为31nc，有助于降低损秏；低qrr (70nc)也可降低反向恢复损耗；而且其eas=515mj的高雪崩性能，可以提高耐用性。这些产品特性再配合小体积的封装，使得fds3572适合于要求严格的电源设计。 fds3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥dc/dc转换器电路应用，也可适合初级应用，包括低压电信电源、dc/dc转换器、网络和数据通信电源、服务器和采用最新总线转换器拓扑，且支持中间母线结构(iba)的调压模块(vrm)。在这些应用中，频 ...

飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 宣布推出采用so-8封装的80 伏 n沟道mosfet器件fds3572，具备综合的性能优势，能同时为dc/dc转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。fds3572提供7.5 nc miller电荷 (qgd)，比相同rds(on) 级别的产品低38％。该器件的低miller电荷加上低rds(on) (16毫欧) 特性，其品质因数figure of merit (fom = rds(on) x qgd ) 为120， 比最接近的竞争产品低33％ 之多。fds3572还具有最佳的总门电荷 (在vgs = 10 v为31 nc)，有助降低损秏；低qrr (70 nc)，可降低反向恢复损耗；以及高雪崩性能 (eas = 515 mj)，以提高耐用性能。这些产品特性再配合小体积的封装，使得fds3572成为今日要求严格的电源设计的理想选择。 fds3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥dc/dc转换器电路应用，也是初级应用的理想器件，包括低压电信电源、dc/dc转换器、 ...

飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)日前宣布推出采用so-8封装的80v n沟道mosfet器件——fds3572。该器件能同时为dc/dc转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。 fds3572提供7.5nc miller电荷(qgd)，比相同rds (on)级别的产品低38%。该器件的低miller电荷加上低rds (on) (16m)特性，其品质因数优值(figure of merit, fom = rds(on)×qgd)为120。fds3572的总门电荷在vgs =10v为31nc，有助于降低损秏；低qrr (70nc)也可降低反向恢复损耗；而且其eas=515mj的高雪崩性能，可以提高耐用性。这些产品特性再配合小体积的封装，使得fds3572适合于要求严格的电源设计。 fds3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥dc/dc转换器电路应用，也可适合初级应用，包括低压电信电源、dc/dc转换器、网络和数据通信电源、服务器和采用最新总线转换器拓扑，且支持中间母线结构(iba)的调压模块(vrm)。在这些应用中，频率通常高 ...

飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)日前宣布推出采用so-8封装的80v n沟道mosfet器件——fds3572。该器件能同时为dc/dc转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。 fds3572提供7.5nc miller电荷(qgd)，比相同rds (on)级别的产品低38%。该器件的低miller电荷加上低rds (on) (16m)特性，其品质因数优值(figure of merit, fom = rds(on)×qgd)为120。fds3572的总门电荷在vgs =10v为31nc，有助于降低损秏；低qrr (70nc)也可降低反向恢复损耗；而且其eas=515mj的高雪崩性能，可以提高耐用性。这些产品特性再配合小体积的封装，使得fds3572适合于要求严格的电源设计。 fds3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥dc/dc转换器电路应用，也可适合初级应用，包括低压电信电源、dc/dc转换器、网络和数据通信电源、服务器和采用最新总线转换器拓扑，且支持中间母线结构(iba)的调压模块(vrm)。在这些应用中，频率通常高 ...

飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)日前宣布推出采用so-8封装的80v n沟道mosfet器件——fds3572。该器件能同时为dc/dc转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。 fds3572提供7.5nc miller电荷(qgd)，比相同rds (on)级别的产品低38%。该器件的低miller电荷加上低rds (on) (16m)特性，其品质因数优值(figure of merit, fom = rds(on)×qgd)为120。fds3572的总门电荷在vgs =10v为31nc，有助于降低损秏；低qrr (70nc)也可降低反向恢复损耗；而且其eas=515mj的高雪崩性能，可以提高耐用性。这些产品特性再配合小体积的封装，使得fds3572适合于要求严格的电源设计。 fds3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥dc/dc转换器电路应用，也可适合初级应用，包括低压电信电源、dc/dc转换器、网络和数据通信电源、服务器和采用最新总线转换器拓扑，且支持中间母线结构(iba)的调压模块(vrm)。在这些应用中，频 ...