| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 480 毫欧 @ 1.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 153pF @ 50V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDS3612,MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3670,MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3672,MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3672_Q,MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDS3680,MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3682_Q,MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V