您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fds3682_q
  • FDS3682_Q

FDS3682_Q

描述MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V漏极连续电流6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.035 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间37 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2.5 W上升时间35 ns
典型关闭延迟时间34 ns

fds3682_q的相关型号: