描述 | MOSFET N-CH 80V 3.4A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 74 毫欧 @ 3.4A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 634pF @ 40V |
功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDS3890,MOSFET N-CH DUAL 80V 4.7A SO-8
【Fairchild Semiconductor】FDS3912,MOSFET N-CH DUAL 100V 3A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3992,MOSFET N-CH DUAL 100V 4.5A SO-8
【Fairchild Semiconductor】FDS3992_Q,MOSFET 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDS4070N3,MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4070N7,MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4072N3,MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4072N7,MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC