| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 32 毫欧 @ 6.3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2490pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDS3672,MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3672_Q,MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDS3680,MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3682_Q,MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDS3692_Q,MOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V