| 描述 | MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 39 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1180pF @ 40V | 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS3590-NDFDS3590TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS3601,MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3612,MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3670,MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3672,MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3672_Q,MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDS3680,MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS3682_Q,MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V