描述 | MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.2A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 8.2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1872pF @ 20V | 功率 - 最大 | 1.2W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDS4685-NDFDS4685TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS4770,MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4770_Q,MOSFET 40V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDS4780,MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
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【Fairchild Semiconductor】FDS4897AC,MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8
【Fairchild Semiconductor】FDS4935,MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC