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  • FDS4685

FDS4685

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.3528
  • 5000$0.33516
  • 12500$0.32256
  • 25000$0.31248
  • 62500$0.3024
描述MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOICFET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.2A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 8.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds1872pF @ 20V功率 - 最大1.2W
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)
其它名称FDS4685-NDFDS4685TR

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