| 描述 | MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.1A，5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 26 毫欧 @ 6.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1055pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | SO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS4897ACTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS4935,MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4935A,MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4935BZ,IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS4953,MOSFET P-CH DUAL 30V 5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS5170N7,MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS5351,MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC
