| 描述 | MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12 毫欧 @ 10.6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2889pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS5170N7TRFDS5170N7_NLFDS5170N7_NLTRFDS5170N7_NLTR-ND |
