| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1850pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | SO-8 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS5680-NDFDS5680TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS5682,MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS5692Z,MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6064N3,MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6064N7,MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6162N3,MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC
