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  • FDS5690

FDS5690

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.4998
  • 5000$0.47481
  • 12500$0.45696
  • 25000$0.44268
  • 62500$0.4284
描述MOSFET N-CH 60V 7A 8SOICFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1107pF @ 30V功率 - 最大1W
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)
其它名称FDS5690-NDFDS5690TR

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