| 描述 | MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 5.8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1025pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS5692ZTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS6064N3,MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6064N7,MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6162N3,MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6162N7,MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6294_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching