FDS6298

飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出同步降压转换器芯片组，其设计特别利用最新的 imvp (英特尔移动电压定位) 技术规范，在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半导体的powertrench® mosfet技术，高端“控制”mosfet (fds6298) 和低端“同步”mosfet (fds6299s) 会构成一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，fds6299s器件的单片电路syncfet™ 技术毋须使用外部肖特基二极管，因此能节省电路板空间和装配成本。 飞兆半导体计算解决方案市务经理david grey称：“飞兆半导体powertrench技术支持的功能集能够提高效率。在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量。更高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，以及是改善电磁兼容性或emi的指标。我们的技术还减小了由直通引起的大电流尖峰的出现，故此减少了信号振荡和电磁噪声辐射。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，飞兆半导体的fds6298/fds6299s芯片组利用配对 ...

飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 荣获《今日电子》杂志颁发2006年十大dc-dc 产品奖。获奖的产品是 30v 同步降压转换器芯片组fds6298和fds6299s，该芯片组利用了最新的英特尔移动电压定位 (intel mobile voltage positioning, imvp) 技术规格，能大大优化笔记本电脑的效率和空间。 通过飞兆半导体的 powertrench® mosfet 技术，高端 “控制” mosfet (fds6298) 和低端 “同步” mosfet (fds6299s) 构成了一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，fds6299s 器件的单片电路 syncfet™ 技术毋须使用外部肖特基二极管 (schottky diode)，因此能节省电路板空间和装配成本。 飞兆半导体在北京举办的 “2006 功率模块技术研讨会”的特别典礼上获颁这个奖项。这些奖项是为鼓励中国的电源技术应用而设立的。 飞兆半导体计算解决方案市务经理 david ...

飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 荣获《今日电子》杂志颁发2006年十大dc-dc 产品奖。获奖的产品是 30v 同步降压转换器芯片组fds6298和fds6299s，该芯片组利用了最新的英特尔移动电压定位 (intel mobile voltage positioning, imvp) 技术规格，能大大优化笔记本电脑的效率和空间。 通过飞兆半导体的 powertrench® mosfet 技术，高端 “控制” mosfet (fds6298) 和低端 “同步” mosfet (fds6299s) 构成了一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，fds6299s 器件的单片电路 syncfet™ 技术毋须使用外部肖特基二极管 (schottky diode)，因此能节省电路板空间和装配成本。 飞兆半导体在北京举办的 “2006 功率模块技术研讨会”的特别典礼上获颁这个奖项。这些奖项是为鼓励中国的电源技术应用而设立的。 飞兆半导体计算解决方案市务经理 david ...

十大dc-dc功率产品大奖。 根据严格的评选标准，评审小组所选出的飞兆半导体fan5355产品是一款数字可编程降压转换器，能为动态电压调节 (dvs) 应用提供业界最高效率。所有获选产品必须展现创新的设计、重大的技术或应用进步，以及在价格和性能方面有杰出表现。《今日电子》设立这些奖项的目的是为了鼓励中国电源技术的广泛应用。去年，飞兆半导体全面优化的集成式12v驱动器加mosfet的功率级解决方案fdmf8700赢得相同的奖项，在2006年获奖的产品则是飞兆半导体的30v同步降压转换器芯片组fds6298和 fds6299s。 飞兆半导体中国和东南亚区销售副总裁陈坤和表示：“全球对于能减少功耗、进而改善环境的技术需求显著增加。飞兆半导体作为功率专家the power franchise?，正处于应对这些技术挑战的前沿位置。我们很高兴看到飞兆半导体为解决这些难题所作的努力得到业界认可，获颁这个殊荣。”《今日电子》十大dc-dc产品大奖的颁奖典礼经已在北京举行的第七届中国国际电源产业大会上举行。 fan5355是800ma/1000ma 3mhz降压转换器，采用专有的超快速架构设计，其静 ...

飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出同步降压转换器芯片组，其设计特别利用最新的 imvp (英特尔移动电压定位) 技术规范，在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半导体的powertrench® mosfet技术，高端“控制”mosfet (fds6298) 和低端“同步”mosfet (fds6299s) 会构成一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，fds6299s器件的单片电路syncfet™ 技术毋须使用外部肖特基二极管，因此能节省电路板空间和装配成本。 飞兆半导体计算解决方案市务经理david grey称：“飞兆半导体powertrench技术支持的功能集能够提高效率。在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量。更高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，以及是改善电磁兼容性或emi的指标。我们的技术还减小了由直通引起的大电流尖峰的出现，故此减少了信号振荡和电磁噪声辐射。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，飞兆半导体的fds6298/fds6299s芯片组利用配对的集成式sync ...

飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出同步降压转换器芯片组，其设计特别利用最新的 imvp (英特尔移动电压定位) 技术规范，在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半导体的powertrench® mosfet技术，高端“控制”mosfet (fds6298) 和低端“同步”mosfet (fds6299s) 会构成一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，fds6299s器件的单片电路syncfet™ 技术毋须使用外部肖特基二极管，因此能节省电路板空间和装配成本。 这种集成芯片组的米勒电荷 (miller) qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的qgd / qgs比，以限制交叉导通 (cross-conduction) 损耗的可能性。除了vcore设计之外，快速开关fds6298和低导通阻抗rds(on) fds6299s提供了配对使用的好处，非常适合于高端通信设备等应用中的大电流负载点 (pol) 转换器。 fds6298 (高端) mosfet的主要性能特性包括： ...

据介绍，通过powertrench mosfet技术，高端“控制”mosfet(fds6298)和低端“同步”mosfet(fds6299s)构成了一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大电流密度和更高效率。此外，fds6299s器件的单片电路syncfet技术无须使用外部肖特基二极管，节省了电路板空间和装配成本。 该集成芯片组的米勒电荷(miller)qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的qgd/qgs比，限制了交叉导通(cross-conduction)损耗的可能性。除vcore设计之外，快速开关fds6298和低导通阻抗rds(on)fds6299s提供了配对使用的好处，适用于高端通信设备等应用的大电流负载点(pol)转换器。 fds6298(高端)mosfet的主要性能特性包括：低总qg(9nc @ vgs=4.5v)和qgd(3nc @ vgs=4.5v)，并具有快速开关速度，能提高效率；优化的芯片和引线框架设计，能降低封装阻抗和电感、减小传导损耗及源极端电感开关损耗；规范的rg和100%的rg测试实现优良的漏源开关特性。 fds6299s(低端)mosfet的主 ...

飞兆半导体再次荣获《今日电子》杂志的十大 dc-dc 2007产品大奖，获评审小组肯定而胜出的产品是飞兆半导体全面优化的集成式12v驱动器加mosfet功率级解决方案fdmf8700。飞兆半导体的30v同步降压转换器芯片组fds6298和fds6299s则于2006年获得相同奖项。 fdmf8700将驱动器ic和两个功率mosfet集成在一个节省空间的8mm x 8mm的56脚mlp封装中，适用于高电流同步降压dc-dc应用。飞兆半导体的集成式器件带有fet动态性能、系统电感和总体导通电阻的驱动器，能够优化全部的开关功率级，大大减少与传统分立式解决方案相关的封装寄生和电路板布线问题。此外，这种集成器件能够显著节省电路板空间，最大限度地提高占位面积的功率密度。较之于分立元件，fdmf8700可节省达50%的电路板空间。 对于空间受限的应用，比如台式电脑、媒体中心pc、超密集服务器、刀片服务器、先进的游戏系统、图形卡、网络和电信设备，以及其它dc/dc应用，飞兆半导体的多芯片模块提供了理想的解决方案，并以intel™ drmos规范为基础。 fdmf8700的重要意义在 ...