| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4951pF @ 10V | 功率 - 最大 | 1.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | SO-8 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS6575-NDFDS6575TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS6609A,MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6612A,MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6612A_D84Z,MOSFET Single N-Ch LL Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDS6614A,MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6630A,MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
