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FDS6612A_D84Z

描述MOSFET Single N-Ch LL Power Trench电阻汲极/源极 RDS(导通)0.022 Ohms
配置Single Quad Drain Triple Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
封装Reel下降时间3 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间5 ns典型关闭延迟时间22 ns

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