| 描述 | MOSFET SO-8 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0085 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 10 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 12 ns | 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS6670A,MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6670AS,MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6672A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6673AZ,MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6673BZ,MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6673BZ_F085,MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC