| 描述 | MOSFET SO-8 N-CH 30V | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.019 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 3 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 30 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.5 W | 上升时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS6614A,MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6630A,MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6670A,MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6670AS,MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6672A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC