| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 32 毫欧 @ 7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 930pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDS6612A,MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6612A_D84Z,MOSFET Single N-Ch LL Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDS6614A,MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6630A,MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6670A,MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC