| 描述 | MOSFET SO-8 P-CH -20V | 漏极连续电流 | - 11 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.014 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 79 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 50 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 17 ns | 典型关闭延迟时间 | 124 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS6609A,MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6612A,MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6612A_D84Z,MOSFET Single N-Ch LL Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDS6614A,MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6630A,MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6670A,MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC