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  • FDS6680A_Q

FDS6680A_Q

描述MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V漏极连续电流12.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0095 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间15 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)64 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间5 ns典型关闭延迟时间27 ns

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