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  • FDS6682_Q

FDS6682_Q

描述MOSFET SO-8漏极连续电流14 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0075 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间16 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)70 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间7 ns典型关闭延迟时间44 ns

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