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  • FDS6688_Q

FDS6688_Q

描述MOSFET SO-8漏极连续电流16 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.006 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间32 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)84 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间11 ns典型关闭延迟时间69 ns

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