| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12.5 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1205pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS6690ATR |
插槽，主板上部cpu附近的元件摆放具有一定难度，当把主要部件摆放好了后，发现已经没有足够的空间摆放转换1.5v和1.2v所需要的四颗mosfet、两个大电感和一个pwm控制器，还必须要在电源输出端摆放几颗大容值的电解电容。 运算放大器实现电源转换 在这种情况下决定采用运算放大器的功率放大来实现电源的转换，其电路如图2所示。电路中采用了运算放大器lm358，其内部封装了两颗完全独立的运算放大器，可以工作在单端电源供电或者双电源供电，工作带宽为1mhz，并带温度补偿。mosfet采用fds6690a，为to-252封装，mosfet将工作在饱和区和线性区。 该项目中使用了ddrii技术，其工作电压为1.8v，有别于ddri的2.5v，并且不再需要提供额外的ddr终端电源。当整个系统插满4条ddrii模块全速工作时将最大需要30a@1.8v的电流。加大1.8v的电源供给使其达到40a的供给能力，可以直接将1.8v提供给1.2v和1.5v转换的电源。从1.8v转换到1.2v和1.5v的低压差特点使得线性低电压大电流转换成为可能。 如果采用该转换方式，仅仅用一颗lm358、两颗m ...
