描述 | MOSFET SO-8 | 漏极连续电流 | 12 A |
---|---|---|---|
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.012 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
下降时间 | 10 ns | 正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 50 S |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 5 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 35 ns | 零件号别名 | FDS6692_NL |