描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC | FET 型 | 2 个 P 沟道(双) |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 6A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 2250pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDS6875TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS6890A,MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6892A,MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC
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【Fairchild Semiconductor】FDS6898A_NF40,MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC
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