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  • FDS6875

FDS6875

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.46928
  • 5000$0.44582
  • 12500$0.42906
  • 25000$0.41565
  • 62500$0.40224
描述MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOICFET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds2250pF @ 10V功率 - 最大900mW
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)
其它名称FDS6875TR

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