| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.4A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1821pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDS6898ATR |
渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生id的饱和现象。其次，vgs向负的方向变化，让vgs=vgs（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。利用sc24631a内置驱动器，一个栅极电荷为25 nc的场效应管（fds6898a）会产生大约25 ns的开关升／降时间（ts=25 nc／la），将在上端场效应管开关时产生开关损耗（rq1-1s） pq1-s=iovintsfs （3） 上端场效应管（q1一1）的栅极损耗（po1-1gate）近似为 pq1-1_gate≈qgvinfs （4） 上端场效应管在导通时的损耗为 pq1-1_c=i20rdsond ...
【Fairchild Semiconductor】FDS6898A_NF40,MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6898AZ,MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6898AZ_F085,MOSFET N-CH 20V DUAL 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6900AS,MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6900S,MOSFET Dual NCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDS6910,MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
