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  • FDS6892AZ

FDS6892AZ

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 7.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1286pF @ 10V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)

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