| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 12A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1293pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
输出的电流较大，因此电路中的每个通道都使用了两个低边mosfft。本设计中的s2～s3和s5～s6选择的是飞兆公司的fds6676s型mosfet管，该mosfet管的导通阻抗rds（on）为6mω。 在选择高边mosfet时，其门电荷和导通阻抗同样重要。因为高边mosfet的门电荷将影响转换速度并进而影响功耗。因此，应当综合考虑器件的门电荷和导通阻抗。实际上，对于大电流输出应用，如果电路的开关频率较高，高边mosfet也可以使用两个mosfet来进行设计。图2电路中使用的是飞兆公司的一个fds6694作为高边mosfet。 2.2 电感的选择 该电路使用了两个输出电感，而且两个输出电感分别分布在阿个通道上。输出电感的主要作用是降低输出电压纹波。但电感较大不但会增加系统成本，而且也会增加宝贵的线路板空间。另外，输出电感的选择还要考虑电路的开关工作频率、输入电压和输出电压。当工作频率为600khz(每通道300khz)、输人电压为20v、输出电压为1.5v时，其输出电感大约为1.6μh。 2.3 限流电阻的设置 电路中限流电阻r4的设定应同时考虑电路中的电流检测电阻rse ...
【Fairchild Semiconductor】FDS6812A,MOSFET N-CH DUAL 20V 6.7A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6875,MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6890A,MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6892A,MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6892AZ,MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6894A,MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC