描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.7A 8SOIC | FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.7A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 22 毫欧 @ 6.7A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1082pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDS6875,MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC
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