| 描述 | MOSFET SO-8 | 漏极连续电流 | 12 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0091 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 10 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 50 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 6 ns | 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS6812A,MOSFET N-CH DUAL 20V 6.7A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6875,MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6890A,MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6892A,MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6892AZ,MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6894A,MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6894AZ,MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC